一种基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
一种基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法，属于半导体工艺技术领域，该制备方法通过在衬底上沉积二维材料层，在二维材料层上生长外延层，在外延层上沉积多晶金刚石层，将外延层和衬底之间的二维材料层剥离后，回收衬底，并在外延层上沉积电极层和帽层，从而可得到完整的HEMT器件，本发明的有益效果是，整个制备方法简单、制备效率高、成本低，得到的HEMT器件具有高效的热传导性能。
基本信息
专利标题 ：
一种基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267592A
申请号 ：
CN202111528423.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
囤冠华赵海明王敬任天令赵清单卫平钮应喜袁松史田超钟敏左万胜张晓洪
申请人 ：
芜湖启迪半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区服务外包园3号楼1803
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟迪
优先权 ：
CN202111528423.7
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/683 H01L23/373 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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