一种金刚石基氮化物半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种金刚石基氮化物半导体器件及其制备方法，其中，所述金刚石基氮化物半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供金刚石衬底；在所述金刚石衬底上形成氮化铝缓冲层；在所述氮化铝缓冲层上形成氮化物半导体层叠结构；形成所述氮化铝缓冲层采用高温射频磁控溅射沉积法。本发明所提供的金刚石基氮化物半导体器件，使氮化物半导体层叠结构得以生长在可横向散热的具有氮化铝缓冲层的金刚石衬底上，从而大大提高氮化镓基电力电子功率转换效率，加速氮化镓基器件更多应用开发，更有利于产业化的生产。
基本信息
专利标题 ：
一种金刚石基氮化物半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420563A
申请号 ：
CN202210061589.0
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张粉红李熙规
申请人 ：
化合积电（厦门）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市软件园三期诚毅北大街56号402-17室
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨泽奇
优先权 ：
CN202210061589.0
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L29/778 H01L29/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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