一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括金刚石衬底、第一衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极、介质层和保护层，本发明可以有效解决刻蚀氮化镓带来的损伤，还可以改善金刚石与氮化镓之间的应力问题。以提升氮化镓功率器件散热能力。
基本信息
专利标题 ：
一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551239A
申请号 ：
CN202210151050.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林长志陈兴王东吴勇黄永陈瑶李彦佐邱慧嫣谢雨峰
申请人 ：
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
代理机构 ：
芜湖思诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
房文亮
优先权 ：
CN202210151050.4
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/56 H01L23/31 H01L23/373 H01L29/778
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20220214
申请日 : 20220214
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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