具有AlOX保护层的金刚石基MIS...
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摘要
本实用新型涉及一种具有AlOX保护层的金刚石基MISFET器件，属于半导体器件领域。该器件包括金刚石衬底、源电极、漏电极、栅电极和介质层；在金刚石衬底上表面的两端分别形成源电极和漏电极，在源电极和漏电极之间从下到上依次设置第一介质层AlOX和第二介质层，第二介质层的上表面设置栅电极，第一介质层和第二介质层共同作为MISFET器件的钝化层和栅介质层。本实用新型较好的优化了栅电极介质层沉积质量，对氢终端加以保护作用，并增强了栅介质层在金刚石氢终端上的附着力，避免二维空穴气密度降低、载流子迁移率下降，同时避免了对氢终端的破坏，改善栅电极漏电及阈值电压稳定性，提高生产良品率，提高器件服役寿命。
基本信息
专利标题 ：
具有AlOX保护层的金刚石基MISFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020777264.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-12
授权号 ：
CN211654827U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
张鹏飞陈伟东张少鹏王宏兴
申请人 ：
内蒙古工业大学
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民街49号
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘徐红
优先权 ：
CN202020777264.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/02
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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