一种具有NiOX保护层的MIS-H...
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有NiOX保护层的MIS‑HEMT器件，所述器件包括AlGaN/GaN外延，AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极，源漏电极的上表面和AlGaN/GaN外延上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次沉积第一介质层和第二介质层，第二介质层的上表面连接栅电极，栅电极位于源漏电极之间，第一介质层为NiOX，第一介质层和第二介质层共同作为钝化层和栅介质层。采用NiOX/SiNX叠层结构同时作为器件的栅介质层与钝化层，利用电子束蒸发设备生长薄膜较PECVD设备减小了沉积损伤问题，改善了器件的表面态，器件的漏电、电流崩塌以及击穿电压性能都得到了优化。
基本信息
专利标题 ：
一种具有NiOX保护层的MIS-HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921308656.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN214378453U
授权日 ：
2021-10-08
发明人 ：
王洪高升周泉斌廖碧艳
申请人 ：
中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
江裕强
优先权 ：
CN201921308656.4
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L21/335 H01L29/778
法律状态
2021-10-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
