具有双蚀刻停止衬里和保护层的器件及相关方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种具有双氮化物衬里、硅化物层和一个氮化物衬里之下的用于防止蚀刻所述硅化物层的保护层的半导体器件。本发明的第一方面提供了用于在半导体器件的制造中使用的方法，包括以下步骤：给器件施加保护层；给所述器件施加第一氮化硅衬里；除去一部分所述第一氮化硅衬里；除去一部分所述保护层；以及给所述器件施加第二氮化硅衬里。

基本信息

专利标题：

具有双蚀刻停止衬里和保护层的器件及相关方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819145A

申请号：

CN200510123512.8

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2005-11-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·维拉辛哈R·马利克李瑛D·奇丹巴尔拉奥

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510123512.8

主分类号：

H01L21/82

IPC分类号：

H01L21/82 H01L21/8232 H01L21/31

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

法律状态

2019-11-05 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/82
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20181117

2017-11-24 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/82
登记生效日 : 20171103
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/82
登记生效日 : 20171030
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2008-05-14 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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