半导体器件

专利申请权、专利权的转移

摘要

提供一种具有增加了探针接触强度的焊盘的半导体器件。半导体器件具有：半导体衬底；半导体元件，其形成在半导体衬底上；绝缘膜，其覆盖半导体元件，并且形成在半导体衬底的上方；多层布线结构，其形成在绝缘膜中；焊盘电极结构，其与多层布线结构连接，并形成在绝缘膜上，而且具有导电紧贴膜、导电焊盘电极以及导电性氢阻挡膜，其中，该导电焊盘电极形成在导电紧贴膜的上方，该导电性氢阻挡膜形成在导电焊盘电极的上方。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101326634A

申请号：

CN200580052239.2

公开（公告）日：

2008-12-17

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王文生

申请人：

富士通株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

张龙哺

优先权：

CN200580052239.2

主分类号：

H01L21/8246

IPC分类号：

H01L21/8246 H01L21/3205 H01L21/66 H01L23/52 H01L27/105

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8239

存储器结构

H01L21/8246

只读存储器结构

法律状态

2020-08-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/8246
登记生效日 : 20200804
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更后权利人 : 富士通半导体存储方案股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县横浜市
变更后权利人 : 日本神奈川县

2011-06-01 ：

授权

2009-02-11 ：

实质审查的生效

2008-12-24 ：

专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)

变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 富士通株式会社
变更后权利人 : 富士通微电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京都
登记生效日 : 20081107

2008-12-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

暂无PDF文件可下载