非平面硅化半导体电熔丝
实质审查的生效
摘要
本发明涉及非平面硅化半导体电熔丝。一种电熔丝包括熔丝链，熔丝链包括位于覆盖栅极导体的电介质层上方的硅化半导体层。硅化半导体层是非平面的并且在栅极导体上方正交延伸。第一端子电耦接到熔丝链的第一端，第二端子电耦接到熔丝链的第二端。熔丝链可以与双极型晶体管的内基极和/或外基极形成在同一层。栅极导体可以控制电流源以对电熔丝进行编程。与常规电熔丝相比，该电熔丝减小了占位面积和所需的编程能量。
基本信息
专利标题 ：
非平面硅化半导体电熔丝
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551396A
申请号 ：
CN202111374294.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·G·盖布里斯莱希V·杰恩Y·T·尼古J·A·坎塔罗夫斯基A·F·卢瓦索
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111374294.0
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L27/112 H01L21/8246
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/525
申请日 : 20211119
申请日 : 20211119
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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