具有硅穿孔结构的半导体组件
授权
摘要
一种具有硅穿孔结构的半导体组件及其制作方法，具有硅穿孔结构的半导体组件包括：设有多个孔洞贯穿过正面侧的第一表面及背面侧的第二表面的衬底；设置于孔洞内的穿通电极；设置于孔洞的内壁的衬层；设置于穿通电极的第一端面上的多个焊垫；设置于正面侧的第一绝缘层，使得每个焊垫的部分表面暴露出来；第一导电组件覆盖所暴露的焊垫及部分的第一绝缘层；设置于背面侧的第二绝缘层，覆盖位于背面侧的衬层，并使每一个穿通电极的第二端面整个或部分暴露出来；以及设置于穿通电极的第二端面的第二导电组件，延伸覆盖到部分的第二绝缘层上。
基本信息
专利标题 ：
具有硅穿孔结构的半导体组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020559871.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-15
授权号 ：
CN211743144U
授权日 ：
2020-10-23
发明人 ：
戴国瑞林健财康展榕
申请人 ：
瑞峰半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县湖口乡新竹工业区光复北路12号5楼
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN202020559871.8
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2020-10-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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