具有瓶形硅穿孔的半导体元件结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括：一硅层，设置在一第一半导体晶粒上；以及一第一遮罩层，设置在该硅层上。该半导体元件结构亦包括一第二半导体晶粒，设置在该第一遮罩层上；以及一硅穿孔，穿经该硅层与该第一遮罩层。该硅穿孔的一下表面大于该硅穿孔的一上表面，以及该硅穿孔的该上表面大于该硅穿孔的一剖面，该剖面位于该硅穿孔的该下表面与该上表面之间，且该剖面平行于该硅穿孔的该下表面与该上表面。
基本信息
专利标题 ：
具有瓶形硅穿孔的半导体元件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464584A
申请号 ：
CN202111010904.9
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-08-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施信益黄则尧
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202111010904.9
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/48
申请日 : 20210831
申请日 : 20210831
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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