半导体组件
授权
摘要
本发明涉及一种半导体组件(1),包括具有第一触点(3)的半导体元件(2)、具有第二触点(5)的载体元件(4)以及冷却体(6),其中,布置在半导体元件(2)的朝向载体元件(4)的第一表面(7)上的第一触点(3)通过导电材料(8)与载体元件(4)的第二触点(5)电连接,其中,半导体元件(2)在背向第一表面(7)的第二表面(9)上具有带有第一半径(11)的凸形拱(10)或带有第二半径(13)的凹形拱(12),其中,半导体元件(2)在凸形拱(10)的第二表面(9)上与冷却体(6)的凹形冷却体拱(15)的冷却体表面(14)形状配合地连接,并且在选定的阻挡层温度(TJ)下运行时凸形拱(10)的第一半径(11)与凹向冷却体(15)的第三半径(16)偏差最多10%,或者其中,半导体元件(2)在凹形拱(12)的第二表面(9)上与冷却体(6)的凸形冷却体拱(17)的冷却体表面(14)形状配合地连接,并且在选定的阻挡层温度(TJ)下运行时,凹形拱(12)的第二半径(13)与凸形冷却体拱(17)的第四半径(18)偏离最多10%。本发明还涉及一种具有半导体组件(1)的变流器(19)和一种用于半导体组件(1)的冷却体(6)的制造方法(HV)。
基本信息
专利标题 :
半导体组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111527597A
申请号 :
CN201880083875.9
公开(公告)日 :
2020-08-11
申请日 :
2018-11-19
授权号 :
CN111527597B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
斯特凡·普费弗莱因托马斯·比格尔埃乌根尼·奥克斯
申请人 :
西门子股份公司
申请人地址 :
德国慕尼黑
代理机构 :
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
陈方鸣
优先权 :
CN201880083875.9
主分类号 :
H01L23/367
IPC分类号 :
H01L23/367 H01L23/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-31 :
授权
2020-09-04 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20181119
申请日 : 20181119
2020-08-11 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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