三五器件半导体组件
授权
摘要
一种三五器件半导体组件，其特征在于，包括:衬底；外延层，具有源极区及漏极区且设置于衬底上，且于外延层对应漏极区的位置具有突出的外延结构；源极电极，设置外延层上且对应源极区；漏极电极，设置于突出的外延结构上且对应漏极区；以及栅极，设置于外延层上且在源极电极及漏极电极之间。
基本信息
专利标题 ：
三五器件半导体组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922094444.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211062726U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
吴俊鹏
申请人 ：
吴俊鹏;陈纪宇
申请人地址 ：
中国台湾新竹市北区延平路一段261巷8弄18号
代理机构 ：
上海申新律师事务所
代理人 ：
董科
优先权 ：
CN201922094444.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/20
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法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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