半导体器件组件
授权
摘要
本申请涉及半导体器件组件。在一般方面，半导体器件组件可包括衬底、设置在衬底上的半导体管芯和具有第一侧和第二侧的导热间隔件，第二侧与第一侧相对。导热间隔件的第一侧可包括与衬底耦接的多个台阶。导热间隔件的第一侧还可包括设置在多个台阶之间的表面，其中该表面可与半导体管芯耦接。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122114131.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
CN216288399U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
A·普拉扎卡莫周志雄
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
尚玲
优先权 ：
CN202122114131.0
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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