半导体器件
公开
摘要
一种半导体器件包括第一壳体、结合到第一壳体以形成内部空间的第二壳体、设置在内部空间内并包括模块基板和安装在模块基板上的多个电子组件的存储模块以及设置在第一壳体的至少一部分中的散热室组件，散热室组件包括与至少一个电子组件热接触的热扩散室和朝向模块基板垂直地延伸以围绕与热扩散室热接触的电子组件的侧壁结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388455A
申请号 ：
CN202111116740.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李晟基金智龙郭仁燮金修仁柳忠显
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111116740.8
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/552 H01L23/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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