一种芯片封装体的制备方法
授权
摘要
本申请公开了一种芯片封装体的制备方法，该芯片封装体的制备方法包括提供芯片/晶圆，芯片/晶圆具有主动面和与主动面相对的背面，芯片/晶圆的主动面上设置有连接件，连接件用于与键合基板键合；将芯片/晶圆与临时基板键合；在芯片/晶圆的背面上形成散热槽。通过上述方式，本申请能够提高芯片的散热效率。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片封装体的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111554586A
申请号 ：
CN202010537933.X
公开（公告）日 ：
2020-08-18
申请日 ：
2020-06-12
授权号 ：
CN111554586B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张文斌
申请人 ：
厦门通富微电子有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区建港路29号海沧国际物流大厦10楼1001单元F0193
代理机构 ：
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎坚怡
优先权 ：
CN202010537933.X
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/367 H01L23/467
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-09-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20200612
申请日 : 20200612
2020-08-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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