半导体功率组件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供了一种大电流容量的半导体功率组件，其提高了相对于半导体芯片热循环的可靠性，并且通过无Pb焊锡化以及使结构更简易而使经济生优异。绝缘基板(2)夹着绝缘层(21)，在其一面上形成金属布线图案(22)，在另一面上形成金属导体(23)，使用低熔点无Pb焊锡(3)将半导体芯片(1)焊接在绝缘基板(2)一面的金属布线图案(22)上。使用导热率为2W/(mK)以上的高导热性粘接剂(5)使绝缘基板(2)另一面的金属导体(23)与散热器(4)粘接。本发明不必使用现有技术中熔点不同的两种焊锡，实现了无Pb焊锡化，同时使到达散热器(4)的热阻降低，实现了可靠性和经济性。
基本信息
专利标题 ：
半导体功率组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832157A
申请号 ：
CN200510048388.3
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桥元庆太诹访时人濑户贞至重田哲藤野伸一
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱丹
优先权 ：
CN200510048388.3
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L23/373 B23K35/26
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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