低电感门控晶闸管及其功率半导体组件
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了属于大功率电力半导体器件领域的一种低电感门控晶闸管及其功率半导体组件。该低电感门控晶闸管是一种大功率电力半导体器件,在一个呈圆形的外壳中放置了一个半导体芯片,半导体芯片引出的门极引线和阴极相互靠近,且位于外壳的同一侧,门极引线不凸出于外壳;门极引线加工成阶梯状,有一个与阴极辅助台面处于同一平面的门极引线安装面。该低电感门控晶闸管通过阴极辅助台面、门极引线安装面安装在印制电路板上组成低电感门控晶闸管功率半导体组件。由于阴极和门极引线无需伸出外壳以外,因此,生产加工变得十分简单。整个功率半导体组件中的门阴极电流通路完全连续,从而实现更低的电感,可以保证最佳的半导体器件开关性能。

基本信息
专利标题 :
低电感门控晶闸管及其功率半导体组件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620167674.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-27
授权号 :
CN200997400Y
授权日 :
2007-12-26
发明人 :
童亦斌张婵
申请人 :
北京交通大学
申请人地址 :
100044北京市西直门外上园村3号北京交通大学科技处
代理机构 :
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 :
李光松
优先权 :
CN200620167674.1
主分类号 :
H01L29/744
IPC分类号 :
H01L29/744  H05K1/18  
法律状态
2012-03-14 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101198109790
IPC(主分类) : H01L 29/744
专利号 : ZL2006201676741
申请日 : 20061227
授权公告日 : 20071226
终止日期 : 20101227
2007-12-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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