大功率晶闸管
授权
摘要
本实用新型公开了一种大功率晶闸管，其包括有可控硅、第一导电体散热器、第二导电体散热器、第一接线端铜排和第二接线端铜排，所述第一导电体散热器和第二导电体散热器之间存有间隙，所述间隙内设置有所述可控硅，所述可控硅的输入极和输出极分别与第一导电体散热器和第二导电体散热器相抵或连接，所述可控硅的控制极与触发板电性连接，所述第一接线端铜排和第二接线端铜排分别与第一导电体散热器和第二导电体散热器固定连接；此款大功率晶闸管，通过在可控硅上作为输入极和输出极的两端面分别设置第一导电体散热器和第二导电体散热器，使得其可控硅的散热性能较好且可以承载较大的电流。
基本信息
专利标题 ：
大功率晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921227305.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-31
授权号 ：
CN209981204U
授权日 ：
2020-01-21
发明人 ：
冯亚明陈美仕欧阳炳健吴文志
申请人 ：
广东光达电气股份有限公司
申请人地址 ：
广东省佛山市顺德区均安镇均安社区居民委员会仓沙西路6号之一
代理机构 ：
佛山市名诚专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢志文
优先权 ：
CN201921227305.0
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/492
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-01-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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