一种大功率GTO晶闸管
授权
摘要
本实用新型涉及一种大功率GTO晶闸管，包括PNPN四层三极的晶闸管芯片，所述晶闸管芯片的底部设有阳极发射区，所述晶闸管芯片的顶部设有阴极发射区和门极，所述阴极发射区包括用深扩散法得到的阴极发射区A区、在开通期和导通期用浅扩散法得到的阴极发射区B区，所述阴极发射区A区与阴极发射区B区交替排布。本实用新型的有益效果是：因此，该大功率GTO晶闸管，能使最大的可关断阳极电流增大80%，能大幅减少关断失败的机会，避免了生产中关断失败带来较大的经济损失。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率GTO晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020095162.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-16
授权号 ：
CN210956683U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
王连来
申请人 ：
广州市晶泰电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区大龙街道茶东村东盛路5号百众工业园D栋402
代理机构 ：
广州越华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈岑
优先权 ：
CN202020095162.9
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/10
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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