一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管
授权
摘要
本实用新型涉及一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管，所述大功率GTO晶闸管从下往上依次包括阳极、第一P型半导体层、第一N型半导体层、第二P型半导体层、第二N型半导体层、阴极，所述第二P型半导体层中设有多个间隔相同的隐埋门极和门栅极。本实用新型的有益效果是：隐埋门极的设置减少导通面积的损失、减小热阻，使大功率GTO晶闸管关断时间短、开通特性好。开通特性好包括允许的通态电流上升率较高，通态电压上升率较高，并能增大大功率GTO晶闸管发射结的击穿电压；这个增大的击穿电压为门极的驱动设计简单化提供了条件，这样可以使门极驱动单元的生产成本降低，重量减轻，体积变小以及提高稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种有隐埋门极的大功率GTO晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020095126.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-16
授权号 ：
CN210956681U
授权日 ：
2020-07-07
发明人 ：
王连来
申请人 ：
广州市晶泰电子科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区大龙街道茶东村东盛路5号百众工业园D栋402
代理机构 ：
广州越华专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈岑
优先权 ：
CN202020095126.2
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/423
法律状态
2020-07-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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