一种大功率快速晶闸管
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摘要
本实用新型公开了一种大功率快速晶闸管，其结构设计简单合理，可提高芯片表面电流扩展速度，可靠性高，其包括壳体、封装于壳体内的晶闸管芯片，晶闸管芯片为圆形PNPN结构，包括依次布置的阳极掺杂区P1层、长基区N1层、门极短基区P2层及间隔布置的阴极发射区N2层，由P1层、N2层分别引出钼片阳极A、阴极K，PNPN结构终端涂覆有保护胶层，N2层表面设有金属镀层，金属镀层还包括由内向外依次分布的门极G、放大门极、阴极K，放大门极以门极G为中心呈发散状引出至靠近阴极K的位置，放大门极包括若干直线状的第一放大门极、“Y”形第二放大门极，第一放大门极、第二放大门极交错间隔布置。
基本信息
专利标题 ：
一种大功率快速晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021105195.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN212209499U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
刘秋林徐日旺
申请人 ：
江苏晶中电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市宜兴市宜城街道惠兴南路8号
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹慧萍
优先权 ：
CN202021105195.3
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L29/06
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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