一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件，方法是在扩有栅区的单晶片上进行氧化之后，将除了栅墙以外的栅区和阴极区一起刻成阴极扩散区的窗口后进行大面积的阴极扩散，将金属化区做在栅墙上制成静电感应晶闸管。栅区分为两部分，一部分Ｐ+栅层形成埋栅结构，另一部分栅区是栅墙作为栅接触区的表面栅结构。本发明方法工艺简单，对设备要求不高，可以大幅度提高成品率，并可使器件性能得到大幅度提高。
基本信息
专利标题 ：
一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1073805A
申请号 ：
CN92110673.4
公开（公告）日 ：
1993-06-30
申请日 ：
1992-09-12
授权号 ：
CN1056248C
授权日 ：
2000-09-06
发明人 ：
朱文有
申请人 ：
朱文有
申请人地址 ：
750021宁夏回族自治区银川市新市区国营宁光电工厂
代理机构 ：
宁夏专利服务中心
代理人 ：
罗永前
优先权 ：
CN92110673.4
主分类号 ：
H01L21/332
IPC分类号 ：
H01L21/332 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/332
晶闸管
法律状态
2001-10-31 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2000-09-06 ：
授权
1996-05-22 ：
实质审查请求的生效
1993-06-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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