一种压控型发射极关断晶闸管器件及其制造方法
授权
摘要
本发明属于功率半导体技术领域，具体的说涉及一种压控型发射极关断晶闸管及其制造方法。本发明通过设计双阴极的MCT器件结构，以及外部连接NMOS和二极管，实现了完全由单个栅极的电压控制的器件的开启和关断。因此，本发明结构避免了发射极关断晶闸管(ETO)由于有三个栅极，导致器件开启与关断时控制复杂，以及ETO导通时需要向GTO门极注入很强的电流触发脉冲，导致其驱动电路复杂和体积庞大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种压控型发射极关断晶闸管器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113437135A
申请号 ：
CN202110710261.2
公开（公告）日 ：
2021-09-24
申请日 ：
2021-06-25
授权号 ：
CN113437135B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
陈万军朱建泽汪淳朋杨超刘超
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202110710261.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/74 H01L21/332
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20210625
申请日 : 20210625
2021-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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