MOS栅控横向晶闸管
专利权的终止
摘要
MOS栅控横向晶闸管是一种新型结构的晶闸管。组成晶闸管的PNPN层为横向结构。采用MOS管和双极型晶体管复合构成，MOS管的漏区和双极型晶体管的基区为公用区。由于采用MOS管的栅控制晶闸管的导通，故可以用低压数字电路直接控制；由于晶闸管的三个电极都从表面引出，故可以通过介质隔离实现与常规CMOS低压逻辑控制电路集成化，有利于制造各种高压功率集成电路，它可广泛应用于马达驱动和工业控制等场合。
基本信息
专利标题 ：
MOS栅控横向晶闸管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87209110.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-06-10
授权号 ：
CN87209110U
授权日 ：
1988-06-08
发明人 ：
谢世健张会珍朱静远
申请人 ：
南京工学院
申请人地址 ：
江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 ：
南京工学院专利事务所
代理人 ：
楼高潮
优先权 ：
CN87209110.4
主分类号 ：
H01L29/68
IPC分类号 ：
H01L29/68
法律状态
1990-10-17 ：
专利权的终止
1989-03-01 ：
授权
1988-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
