发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备
授权
摘要
本发明涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括具有第一到第四半导体层的堆叠结构,并且第三半导体层从半导体基板侧起依次至少包含与第二半导体层接触的第五半导体层和第六半导体层。第六半导体层是形成堆叠结构的所有层中的具有最小带隙的层,并且,第五半导体层与第六半导体层之间的带隙的差值△Eg大于或等于0.05eV且小于或等于0.15eV。
基本信息
专利标题 :
发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109473510A
申请号 :
CN201811023086.4
公开(公告)日 :
2019-03-15
申请日 :
2018-09-04
授权号 :
CN109473510B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
内田武志须贺贵子
申请人 :
佳能株式会社
申请人地址 :
日本东京
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
杨小明
优先权 :
CN201811023086.4
主分类号 :
H01L33/00
IPC分类号 :
H01L33/00 H01L33/08 H01L33/30
法律状态
2022-05-13 :
授权
2019-10-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20180904
申请日 : 20180904
2019-03-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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