可关断半导体器件
公开
摘要
在带有一个GTO一可控硅的复合式可关断的半导体器件中(例如反向导通GTO一可控硅)，能够实现直接压力接触。这是通过不仅对半导体芯片(2)而且对压力接触片(1、3)的压力面的平整度以及压力接触片(1，3)的同心度提出了明确的要求而实现的。
基本信息
专利标题 ：
可关断半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035024A
申请号 ：
CN89100473.4
公开（公告）日 ：
1989-08-23
申请日 ：
1989-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安德烈·杰克林沃尔夫冈·齐默曼
申请人 ：
亚瑞亚·勃朗·勃威力有限公司
申请人地址 ：
瑞士巴登
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
吴秉芬
优先权 ：
CN89100473.4
主分类号 ：
H01L29/74
IPC分类号 ：
H01L29/74 H01L23/48
法律状态
1989-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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