一种MOS栅控晶闸管及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及功率半导体技术领域，具体的说是适用于脉冲功率领域的一种MOS栅控晶闸管及其制造方法。本发明主要通过改进常规MOS栅控晶闸管的器件结构，使之具有常关特性，同时与避免了其应用于脉冲功率领域时因栅介质击穿导致的脉冲系统发生失效的问题，即在简化驱动电路的同时提升脉冲系统可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种MOS栅控晶闸管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112563325A
申请号 ：
CN202011463011.5
公开（公告）日 ：
2021-03-26
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
CN112563325B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
陈万军张舒逸刘超张波
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新西区西源大道2006号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙一峰
优先权 ：
CN202011463011.5
主分类号 ：
H01L29/749
IPC分类号 ：
H01L29/749 H01L29/06 H01L21/332
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-04-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/749
申请日 : 20201214
申请日 : 20201214
2021-03-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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