制造快速晶闸管的扩金新工艺
被视为撤回的申请
摘要
该新工艺应用于制造快速晶闸管，其关键在于控制扩金前硅片阴极面和阳极面的杂质浓度，使得快速晶闸管的长基区阳极侧金浓度低而阴极侧金浓度高，从而得到关断时间、通态压降等参数协调很好的快速晶闸管。用该新工艺制造的2000V管子，在通态电流200A，通态峰值压降2.5V时，关断时间不大于30μs。
基本信息
专利标题 ：
制造快速晶闸管的扩金新工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86102417A
申请号 ：
CN86102417
公开（公告）日 ：
1988-04-13
申请日 ：
1986-04-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卞抗
申请人 ：
机械工业部西安整流器研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市团结北路
代理机构 ：
西安电力机械制造公司专利事务所
代理人 ：
黄志坚
优先权 ：
CN86102417
主分类号 ：
H01L21/22
IPC分类号 ：
H01L21/22
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
法律状态
1990-07-11 ：
被视为撤回的申请
1989-01-11 ：
实质审查请求
1988-04-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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