单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种单温区开管扩镓生产晶闸管方法，属于电力半导体器件生产工艺，在单温区扩散炉里对经高温氧化后的硅片进行开管扩镓，扩散时利用干H2从固态Ga2O3里通过化学反应携带出元素镓，凭藉着对源温、片温、H2气体流量、掺杂时间的控制，使硅片一次完成掺杂元素镓。本工艺使用设备简单操作方便；扩散参数可控、可调、可检，抗沾污能力强，便于推广，用于晶闸管的生产中，可大幅度提高该类产品的等级合格率和动态特性。
基本信息
专利标题 ：
单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1031910A
申请号 ：
CN87101375.4
公开（公告）日 ：
1989-03-22
申请日 ：
1987-08-28
授权号 ：
CN1011002B
授权日 ：
1990-12-26
发明人 ：
裴素华赵富贤
申请人 ：
山东师范大学
申请人地址 ：
山东省济南市文化东路
代理机构 ：
山东省高等院校专利事务所
代理人 ：
崔日新
优先权 ：
CN87101375.4
主分类号 ：
H01L21/223
IPC分类号 ：
H01L21/223 H01L21/225 H01L29/74
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/223
应用从气相向固体或从固体向气相的扩散法
法律状态
1993-01-06 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-08-07 ：
授权
1990-12-26 ：
审定
1989-10-11 ：
实质审查请求
1989-03-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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