螺栓型晶闸管制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种螺栓型晶闸管制造方法，属于半导体制造技术领域本发明采用二次扩散法在原始N型硅片上形成P-N-P-N四层结构，用银-锑合金片(Ag-Sb)代替金-锑合金片(Au-Sb)进行烧结形成N+层和阴极电极。本发明与传统的“扩散——合金法”、“双扩散——镀镍法”及“双扩散——超声点焊法”等相比，具有以银代金和工艺流程短、劳动强度低、产品合格率高等特点，因而特别适合于5～200A的中，小功率螺栓型晶闸管的批量生产。
基本信息
专利标题 ：
螺栓型晶闸管制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1046814A
申请号 ：
CN89104009.9
公开（公告）日 ：
1990-11-07
申请日 ：
1989-06-15
授权号 ：
CN1014379B
授权日 ：
1991-10-16
发明人 ：
张建华
申请人 ：
邮电部武汉通信电源厂
申请人地址 ：
湖北省武汉市汉口古田二路1号
代理机构 ：
武汉市专利事务所
代理人 ：
张顺林
优先权 ：
CN89104009.9
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
1994-07-20 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-08-05 ：
授权
1991-10-16 ：
审定
1990-11-07 ：
公开
1989-12-27 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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