一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法，包括晶闸管的芯片准备(1)、测试(12)和封装(14)，在测试(12)之前进行的步骤是，掩膜挡片和封装垫片制作(2)，掩膜挡片安装(3)，对准掩膜图形进行芯片安装(4)，第一次蒸发(5)，取下掩膜挡片和芯片(6)，再一次进行芯片安装(7)，第二次蒸发(8)，常规工艺退火(9)，刻蚀(10)，台面造型与保护(11)，在封装(14)之前，进行防止电迁移的封装垫片安装(13)。本发明采用掩膜、蒸发和光刻技术相结合的工艺方法，不需要粘贴阴极导电片就实现了门极、放大门极与阴极的隔离，有效地防止器件在其后的测试封装过程中受到损伤。适合晶闸管制造商或生产企业采用。
基本信息
专利标题 ：
一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828847A
申请号 ：
CN200610031192.8
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄建伟刘国友邹冰艳李世平丁昱
申请人 ：
株洲南车时代电气股份有限公司
申请人地址 ：
412001湖南省株洲市石峰区时代路
代理机构 ：
长沙星耀专利事务所
代理人 ：
宁星耀
优先权 ：
CN200610031192.8
主分类号 ：
H01L21/332
IPC分类号 ：
H01L21/332 H01L21/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/332
晶闸管
法律状态
2009-06-17 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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