具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种具有沟槽‑平面柵的发射极开关晶闸管，以n‑漂移区作为衬底，n‑漂移区上方设有交叠的左、右侧p基区，左、右侧p基区中各设有n+浮置区及n+阴极区；左侧p基区的左侧设有沟槽，该沟槽底部低于p基区底部，形成沟槽柵极；p基区相互交叠区及n+阴极区部分上表面设有平面柵极；沟槽栅极与平面栅极相连构成栅极G；左、右两侧p基区内设置有p++层；n+阴极区右侧部分和右侧p基区部分上表面设有铝金属化阴极K；n‑漂移区下表面依次设有n缓冲层、p+阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该种发射极开关晶闸管的制备方法。本发明的器件，转折电压低、导通损耗低、最大可关断电流高，制作简单。
基本信息
专利标题 ：
具有沟槽-平面柵的发射极开关晶闸管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628507A
申请号 ：
CN202210241564.9
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王彩琳杨武华郭佳睿张超苏乐
申请人 ：
西安理工大学
申请人地址 ：
陕西省西安市碑林区金花南路5号
代理机构 ：
西安弘理专利事务所
代理人 ：
王奇
优先权 ：
CN202210241564.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/745 H01L21/332 H01L21/28
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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