一种高压晶闸管制造方法及装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种高压晶闸管制造方法及装置，属于晶闸管生产中的一种双质掺杂方法及扩散系统装置。本发明为铝乳胶源涂布与气相镓杂质相结合的一种分步扩散法，是先在N型硅片上均布二氧化硅铝乳胶源进行铝扩散，后扩铝硅片经单面抛光、热氧化、开管扩镓，最后完成铝镓再分布。扩散装置的石英管短，无内扩散管，只用一个磨口。采用该方法及装置，扩散均匀性和重复性好，扩散参数可控性和可调性强。
基本信息
专利标题 ：
一种高压晶闸管制造方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1065158A
申请号 ：
CN92106455.1
公开（公告）日 ：
1992-10-07
申请日 ：
1992-04-02
授权号 ：
CN1033193C
授权日 ：
1996-10-30
发明人 ：
刘秀喜薛成山孙瑛
申请人 ：
山东师范大学
申请人地址 ：
250014山东省济南市文化东路88号
代理机构 ：
山东省高等院校专利事务所
代理人 ：
娄安境
优先权 ：
CN92106455.1
主分类号 ：
H01L21/225
IPC分类号 ：
H01L21/225
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/22
杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂
H01L21/225
应用从固相向固体或从固体向固相的扩散法，例如掺杂氧化层
法律状态
1998-05-27 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1996-10-30 ：
授权
1994-01-26 ：
实质审查请求的生效
1992-10-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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