电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管及其制造方法

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摘要

本发明公开了一种电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管，在n^‑漂移区上方中央的p基区中设置有n⁺阴极区；p基区四周环绕的n CS层上部靠外设置有p⁺⁺分流区，p⁺⁺分流区上表面与n+阴极区上表面的铝层共同构成阴极电极K；部分n⁺阴极区、p基区、n CS层及部分p⁺⁺分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层，在栅氧化层上表面设置有多晶硅层作为栅极G；在阴极电极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层；n^‑漂移区向下依次设置有n FS层、p⁺阳极区、金属化阳极A。本发明还公开了该IE‑Bi‑MCT的制备方法。本发明的IE‑Bi‑MCT结构，能显著降低器件的通态压降，提高单元胞最大可关断电流。

基本信息

专利标题：

电子注入增强型双模式MOS控制晶闸管及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110212027A

申请号：

CN201910497542.7

公开（公告）日：

2019-09-06

申请日：

2019-06-10

授权号：

CN110212027B

授权日：

2022-04-22

发明人：

王彩琳杨武华曹荣荣

申请人：

西安理工大学

申请人地址：

陕西省西安市碑林区金花南路5号

代理机构：

西安弘理专利事务所

代理人：

杜娟

优先权：

CN201910497542.7

主分类号：

H01L29/745

IPC分类号：

H01L29/745 H01L29/749 H01L21/332

法律状态

2022-04-22 ：

授权

2019-10-08 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/745
申请日 : 20190610

2019-09-06 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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