一种垂直功率MOS半导体组件
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，且公开了一种垂直功率MOS半导体组件，包括散热底板，所述散热底板的下表面固定连接有散热导板，所述散热底板的正面固定连接有定位插针，所述散热底板的上表面设置有半导体组件，所述半导体组件的上表面设置有U形按压板，所述U形按压板的上表面固定连接有操作把手。该垂直功率MOS半导体组件，通过卡合板挤压滑动支架、限位杆和限位架向内移动对半导体组件和U形按压板进行限位固定，对半导体组件具有更好的限位固定效果，便于更加稳定的对半导体组件进行限位固定，有效提高了对半导体组件固定的稳定性，便于更加稳定安全的进行使用，有效提高了使用的便利性。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直功率MOS半导体组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121987156.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-23
授权号 ：
CN216528865U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
石现瑛
申请人 ：
安徽德徽创芯科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市固镇县新马桥镇蚌埠铜陵现代产业园区中小企业产业园
代理机构 ：
合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王家培
优先权 ：
CN202121987156.5
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/40 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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