一种石墨烯熔丝器件及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种基于石墨烯的新型熔丝器件及其制备方法。本发明基于石墨烯的新型熔丝在传统的两端熔丝基础上，增加一个垂直的金属栅形成三端结构，通过金属栅到沟道的隧穿电流来烧断沟道。利用电子束曝光和lift‑off工艺实现熔丝存储器件的制备，工艺简单，可实现大面积器件制备并节约工艺成本。本发明提供的石墨烯熔丝器件可将编程电压降低到4V左右，同时可降低编程电流，实现温和低功耗。
基本信息
专利标题 ：
一种石墨烯熔丝器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582876A
申请号 ：
CN202210245614.0
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李雪娉邱晨光彭练矛
申请人 ：
湘潭大学;北京元芯碳基集成电路研究院
申请人地址 ：
湖南省湘潭市西郊
代理机构 ：
北京惟专知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵星
优先权 ：
CN202210245614.0
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 H01L21/8246
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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