反熔丝单元结构和反熔丝阵列结构

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摘要

本实用新型提供一种反熔丝单元结构和反熔丝阵列结构，该反熔丝单元结构包括衬底和设于衬底上的反熔丝器件和选择晶体管，反熔丝器件的第一栅极介质层包括凹槽，凹槽内填充有导电材料，第一栅极导电层覆盖所述凹槽且与凹槽内的导电材料连接；选择晶体管包括第二栅极介质层和第二栅极导电层，第二栅极介质层与第一栅极介质层连接。该反熔丝单元结构击穿电压低，一致性好，占用面积小，且制备工艺可兼容。

基本信息

专利标题：

反熔丝单元结构和反熔丝阵列结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921403318.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-08-27

授权号：

CN210403728U

授权日：

2020-04-24

发明人：

李新应战

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

王辉

优先权：

CN201921403318.9

主分类号：

H01L27/112

IPC分类号：

H01L27/112 H01L21/8246