反熔丝存储单元电路及阵列电路

授权

摘要

本实用新型提供一种反熔丝存储单元电路及阵列电路，本实用新型的优点在于：1、本实用新型反熔丝存储单元电路是纯组合电路，相比时序电路，在延迟若干时间之后，所有通路都被关闭，且整个电路没有逻辑动作，静态功耗更低，功耗近似为0；2、本实用新型反熔丝存储单元电路通过开关和逻辑运算模块的设计，实质上构成了两个正反馈回路，使得读出电路可以更可靠的读出“0”或“1”；3、本实用新型反熔丝存储单元电路可以省去复杂的时序控制部分，甚至读出电路的输出OUTA/OUTB可以不用锁存，直接作为反熔丝的编码输出。4、本实用新型反熔丝存储单元电路版图布局布线灵活。

基本信息

专利标题：

反熔丝存储单元电路及阵列电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921654359.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-29

授权号：

CN210271793U

授权日：

2020-04-07

发明人：

李新

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201921654359.5

主分类号：

G11C17/14

IPC分类号：

G11C17/14