低功耗电熔丝修调电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种低功耗电熔丝修调电路，包括：第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极端与电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极端与使能信号RST1电连接；第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极端与所述第一PMOS管的源极端电连接，所述第二PMOS管的栅极端与Vout端电连接；第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极端分别与所述第一PMOS管的漏极端和所述第二PMOS管的漏极端电连接，所述第一NMOS管的栅极端与使能信号RST2电连接。本实用新型所提供的低功耗电熔丝修调电路，通过增加第一NMOS管，有效的降低了熔丝FUSE熔断前所需的功耗，减少电平翻转时所需熔丝FUSE熔断后的电阻，通过增加反向装置与第二PMOS管构成正反馈检测电路，提高了熔丝修调电路的稳定性和可靠性，电路结构简单，电路开销减小。
基本信息
专利标题 ：
低功耗电熔丝修调电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021787987.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-24
授权号 ：
CN213072618U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
周斌腾黄嵩人易峰张巍何龙
申请人 ：
湖南进芯电子科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市高新开发区尖山路39号长沙中电软件园总部大楼10楼1002-1010室
代理机构 ：
长沙轩荣专利代理有限公司
代理人 ：
罗莎
优先权 ：
CN202021787987.3
主分类号 ：
H03K19/003
IPC分类号 ：
H03K19/003 H03K19/007 H03K19/0175
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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