集成电路的修调结构
授权
摘要
本申请公开了一种集成电路的修调结构，该修调结构包括多个修调单元，每个修调单元包括：衬底；熔断结构，位于衬底上；钝化层，位于熔断结构上，且具有开口，开口将至少部分熔断结构暴露；保护层，位于钝化层上，且至少部分保护层与开口形成空腔；其中，至少部分熔断结构位于空腔内。该修调结构通过空腔为熔断结构提供了充足的容置空间，解决了在封装完成后，熔断结构熔断复连的问题。
基本信息
专利标题 ：
集成电路的修调结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020095518.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-16
授权号 ：
CN211555870U
授权日 ：
2020-09-22
发明人 ：
冯荣杰
申请人 ：
杭州士兰微电子股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市黄姑山路4号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
李向英
优先权 ：
CN202020095518.9
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2020-09-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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