应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路
公开
摘要
本发明属于高压模拟集成电路领域，公开了一种应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路，包括P型DMOS管DP1、N型DMOS管DN1、电流镜、下拉单元、第一N型MOS管MN1、第一二极管D1、电阻R1、熔丝F1、反相器INV1、与门AND1、偏置电流输入端IBIAS、高压供电电压端VDDH、低压供电电压端VREG以及地端GND，反相器INV1的输出端上设置熔丝状态指示输出端DOUT；与门AND1的第一输入端上设置烧写控制输入端W_EN，与门AND1的第二输入端上设置熔丝状态指示输入端DIN。通过全新的电源切换电路，从而实现熔丝烧写时可以直接从外部电源获取足够的烧写电流，同时，在正常工作时可以切换至内部低压供电，避免外部高压对低压熔丝修调电路的损坏。
基本信息
专利标题 ：
应用于高压模拟集成电路的低压熔丝修调电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114624485A
申请号 ：
CN202210404360.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-04-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙权王晓飞袁婷张龙刘海涛苏建峰
申请人 ：
西安航天民芯科技有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业路70号卫星大厦5层
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
李鹏威
优先权 ：
CN202210404360.2
主分类号 ：
G01R1/36
IPC分类号 ：
G01R1/36 G01R31/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R1/22
••起电流互感器次级绕组作用的钳式测试器
G01R1/36
电测量仪器的过负载保护装置或电路
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
