反熔丝存储单元
授权
摘要
本实用新型实施例涉及一种反熔丝存储单元，包括：衬底，所述衬底上具有选择栅极结构；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别位于选择栅极结构相对两侧的所述衬底内，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同；位于所述第一掺杂区上的反熔丝栅介质层和位于所述反熔丝栅介质层上的反熔丝栅极；第三掺杂区，所述第三掺杂区位于所述第二掺杂区与所述选择栅极结构之间，所述第三掺杂区的与所述第二掺杂区的掺杂离子类型相同，且所述第三掺杂区的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂区的掺杂离子浓度。本实用新型可以降低电场对选择栅介质层的损伤，从而提高反熔丝存储单元中选择晶体管的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921312949.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN211208446U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
冯鹏李雄
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN201921312949.X
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 H01L21/8246 G11C17/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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