用于熔丝存储单元的微分读出电路
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
用于读出存储器(F2，F3)的存储信息的读出电路(2)，包括两个具有不同编程状态的非易失存储单元(F2，F3)，存储器(F2，F3)的存储信息由两个存储单元(F2，F3)的编程状态给出，并且读出电路(2)具有易失性信号存储器(INV4，INV5)，其输入被连接至存储单元(F2，F3)的读输出。
基本信息
专利标题 ：
用于熔丝存储单元的微分读出电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838326A
申请号 ：
CN200610071193.5
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
G·勒曼V·科塞洛特J·－Y·拉奎尔
申请人 ：
英飞凌科技股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吴立明
优先权 ：
CN200610071193.5
主分类号 ：
G11C17/16
IPC分类号 ：
G11C17/16
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
G11C17/14
通过有选择地建立、断开或修改能永久变更耦合元件状态的连接链路确定其存储内容的，例如，PROM
G11C17/16
应用电可熔链路的
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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