反熔丝存储单元
授权
摘要
一种反熔丝存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括互连区和至少两个下电极区，所述下电极区与所述互连区至少一部分接触；覆盖所有下电极区表面的栅介质层；位于所述栅介质层上的上电极层。本实用新型的反熔丝存储单元的编程电压降低。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920691983.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-15
授权号 ：
CN209785929U
授权日 ：
2019-12-13
发明人 ：
李雄
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201920691983.6
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L27/112 H01L21/768 H01L21/8246
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2019-12-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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