反熔丝器件和反熔丝单元结构
授权
摘要
本实用新型提供一种反熔丝器件和反熔丝单元结构，属于半导体技术领域。反熔丝器件包括第一掺杂区、第二掺杂区、第一栅极介质层和第一栅极导电层，其中，第一栅极介质层包括填充有导电材料的凹槽，凹槽在垂直于衬底方向的最大深度小于第一栅极介质层的厚度；第一栅极导电层覆盖凹槽且与凹槽内的导电材料连接。第一栅极介质层更容易被高电场击穿，从而可以减小向反熔丝器件施加的电压。对于多个反熔丝器件，可保证击穿电压和击穿位置都相对一致。通过调整反熔丝器件各部分的结构、位置和尺寸，能够缩小器件尺寸，还能实现与其他半导体工艺兼容，简化整个制备过程。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝器件和反熔丝单元结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921403309.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-27
授权号 ：
CN210110768U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
李新应战
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201921403309.X
主分类号 ：
H01L27/112
IPC分类号 ：
H01L27/112 H01L21/8246
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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