闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法
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摘要
一种闪存单元熔丝电路包括熔丝单元阵列、多个开关电路、和多个熔丝读出放大器。该熔丝单元阵列在编程或擦除操作之后响应于字线使能信号而输出第一信号。所述开关电路响应于复位信号和字线使能信号之一而使第一信号之一通过。所述熔丝读出放大器的每个通过检测和放大对应开关电路的输出信号而生成熔断信号。
基本信息
专利标题 ：
闪存单元熔丝电路和熔断闪存单元的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825486A
申请号 ：
CN200610006048.9
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
方薰振金奎泓
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李芳华
优先权 ：
CN200610006048.9
主分类号 ：
G11C16/06
IPC分类号 ：
G11C16/06 G11C17/18
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/06
辅助电路，例如：用于写入存储器的
法律状态
2009-10-07 ：
授权
2007-07-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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