电容元件的制造方法以及蚀刻方法
授权
摘要
本发明提供了一种适合微细化的蚀刻技术。在基板10上按顺序叠层了下部电极膜12、电介质膜13和上部电极膜14的处理对象物5上形成无机质膜15，在其表面上配置图案化的有机抗蚀剂膜20，在以有机抗蚀剂膜20作为掩模，蚀刻无机质膜15、上部电极膜14和电介质膜13之后，以蚀刻下部电极膜12的气体，除去有机抗蚀剂膜20，同时以已露出的无机质膜15作为掩模，蚀刻下部电极膜12。由于不重新形成将作为掩模的膜，因此可以优良的精度制作微细图案。
基本信息
专利标题 ：
电容元件的制造方法以及蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111929A
申请号 ：
CN200680003328.2
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2006-01-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小风丰植田昌久远藤光广邹红罡
申请人 ：
株式会社爱发科
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
孙秀武
优先权 ：
CN200680003328.2
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01L21/8246 H01L27/105
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2010-05-19 ：
授权
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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