电容制造方法

专利权的终止

摘要

一种电容制造方法，其包括如下步骤：提供一基板，依次沉积一第一金属层、一绝缘层和一第一光阻层；提供一第一光罩，其包括至少二透光率不同的透光区，利用该第一光罩对该第一光阻层曝光，并显影该第一光阻层，形成厚度不同的第一光阻图案；蚀刻该第一光阻图案和部分绝缘层，形成厚度不同的绝缘层；依次沉积一第二金属层和一第二光阻层于该剩余绝缘层上；利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，形成第二光阻图案；蚀刻未被该第二光阻图案覆盖的部分第二金属层，形成一金属图案；去除该第二光阻图案。

基本信息

专利标题：

电容制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1988077A

申请号：

CN200510121258.8

公开（公告）日：

2007-06-27

申请日：

2005-12-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

颜硕廷

申请人：

群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司

申请人地址：

518109广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层

代理机构：

代理人：

优先权：

CN200510121258.8

主分类号：

H01G4/00

IPC分类号：

H01G4/00 H01G13/00 H01L21/02 H01L21/027 H01L21/3065 H01L21/306

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01G

电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件

H01G4/00

固定电容器；及其制造方法

法律状态

2018-02-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01G 4/00
申请日 : 20051225
授权公告日 : 20110803
终止日期 : 20161225

2011-08-03 ：

授权

2011-07-27 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101116698053
IPC(主分类) : H01G 4/00
专利申请号 : 2005101212588
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 群康科技(深圳)有限公司
变更后权利人 : 群康科技(深圳)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
变更后权利人 : 518109 广东省深圳市宝安区龙华镇富士康科技工业园E区4栋1层
变更事项 : 共同申请人
变更前权利人 : 群创光电股份有限公司
变更后权利人 : 奇美电子股份有限公司
登记生效日 : 20110615

2007-08-22 ：

实质审查的生效

2007-06-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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