电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储...
专利权的视为放弃
摘要
本发明公开了一种电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种即使被细微化，也具有充分的极化特性的电容绝缘膜。电容绝缘膜，为由形成在半导体衬底11上的铁电膜构成的电容绝缘膜21；铁电膜，含有发挥使结晶取向成为随机结晶取向的结晶生长的结晶核作用的元素。
基本信息
专利标题 ：
电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779976A
申请号 ：
CN200510113698.9
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林慎一郎那须彻
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510113698.9
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L29/92 H01L21/00 H01L21/02 H01L21/822 H01B3/00 H01G4/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2010-03-24 ：
专利权的视为放弃
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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