薄膜电容器制造用镍箔及其制造方法
公开
摘要
本发明涉及一种电解镍箔，在该电解镍箔的至少一侧的平坦表面的表面粗糙度Ra为0.05μm以下，Rz为0.2μm以下，并且Rt为0.5μm以下，并且通过测量60°镜面反射角从而测定的光泽度为至少200GU。
基本信息
专利标题 ：
薄膜电容器制造用镍箔及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586121A
申请号 ：
CN201980101536.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋基德梁畅烈尹相华
申请人 ：
日进材料股份有限公司
申请人地址 ：
韩国全罗北道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙微
优先权 ：
CN201980101536.3
主分类号 ：
H01G4/33
IPC分类号 ：
H01G4/33 H01G4/30 H01G4/008 H01G4/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01G
电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件
H01G4/00
固定电容器；及其制造方法
H01G4/33
薄膜或厚膜电容器
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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